單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測試時(shí)，應(yīng)分級(jí)加荷，每級(jí)荷載應(yīng)為預(yù)估破壞荷載的（）。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
2.單項(xiàng)選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測量砌體變形讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測量（），并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
3.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
4.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí)，多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí)，普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題