A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強度試驗報告單
C、各檢驗批的主控項目、一般項目的驗收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每級荷載可取預估破壞荷載的10%
B、應在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C、加荷至預估破壞荷載的90%后，應按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D、加荷至預估破壞荷載的80%后，應按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
A、一個
B、二個
C、若干個
D、三個
E、以上都不對
A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗報告
C、砂漿試塊試驗報告
D、產(chǎn)品使用說明書
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。