A、每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
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A、一個(gè)
B、二個(gè)
C、若干個(gè)
D、三個(gè)
E、以上都不對(duì)
A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗(yàn)報(bào)告
C、砂漿試塊試驗(yàn)報(bào)告
D、產(chǎn)品使用說明書
A.10萬
B.8萬
C.6萬
D.3萬
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列是晶體的是（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。