A.抗震設防
B.加強房屋結構延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
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A.應在槽間砌體兩側各粘貼一對變形測量腳標,腳標應位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應記錄標距值,并應精確至0.1mm
A.應鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿,并應伸進撬棍,應將水平灰縫撬松動,然后應小心抬出試件
D.試件搬運過程中,應防止碰撞,并應采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應測量3次,并應取其平均值
B、開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應清理平整,并應除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結構構件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
PN結的基本特性是()