多項(xiàng)選擇題砌筑磚墻時，含水率應(yīng)控制在10％-15％之間的磚為（）。
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題砌體留直槎時應(yīng)設(shè)拉結(jié)筋。在抗震區(qū)，槎每側(cè)伸人墻內(nèi)的鋼筋長度可為（）。
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
2.多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測時，測試設(shè)備包括以下哪些（）。
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
3.多項(xiàng)選擇題砌體工程冬期施工的常用方法有（）。
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
4.多項(xiàng)選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗(yàn)步驟，應(yīng)包括試件試驗(yàn)機(jī)底板上的（）等檢測及測試事項(xiàng)。
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
5.多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測時，測試部位宜選在（）或范圍內(nèi)，試件具體尺寸應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。
A．窗洞口
B．后砌窗下墻處
C．其他洞口下三皮磚
D．離樓面層近
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題