A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
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A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
A.試件運至試驗室后,應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿,然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設(shè)防
B.加強房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標,腳標應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應(yīng)記錄標距值,并應(yīng)精確至0.1mm
A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動,然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列是晶體的是()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()