A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
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A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測試結(jié)果
D、保證方便
A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴(kuò)建前的專門鑒定
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）