多項選擇題原位軸壓法檢測布點原則中,要在槽外側(cè)墻體1.5m處,水平凈距不得小于2.0m的目的是()。
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測試結(jié)果
D、保證方便
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題在進行下列哪些可靠性鑒定時(),可按《砌體工程現(xiàn)場檢測技術(shù)標準》GB/T50315-2011檢測和推定砌筑砂漿強度。
A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴建前的專門鑒定
2.多項選擇題原位軸壓法有哪些限制條件()
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m;
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
3.多項選擇題磚砌體基礎(chǔ)頂面和樓面標高允許偏差為()。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
4.多項選擇題專用小砌塊灌孔混凝土坍落度不小于180mm,拌和物()故宜采用。
A、不離析
B、不泌水
C、強度高
D、施工性能好
5.多項選擇題干拌砂漿是由()按一定比例混合而成的混合物。
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題