A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí),在避免擾動(dòng)四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
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A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C、獨(dú)立磚間墻
D、磚墻上
A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格
B、一般項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格,當(dāng)采用計(jì)數(shù)檢驗(yàn)時(shí),除有專門要求外,一般項(xiàng)目的合格點(diǎn)率應(yīng)達(dá)到80%及以上,且不得有嚴(yán)重缺陷
C、僅隱蔽工程驗(yàn)收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗(yàn)收記錄
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
PN結(jié)的基本特性是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;