A、開槽釋放應力
B、砌體的應力一應變曲線
C、砌體原始主應力值
D、彈性模量
E、回彈模量
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、主控項目的質量經抽樣檢驗合格
B、一般項目的質量經抽樣檢驗合格,當采用計數(shù)檢驗時,除有專門要求外,一般項目的合格點率應達到80%及以上,且不得有嚴重缺陷
C、僅隱蔽工程驗收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質量驗收記錄
A、施工技術標準
B、健全的質量管理體系
C、施工質量控制
D、質量檢驗制度
A、槽間砌體每側的墻體寬度應不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強度
B、砂漿強度
C、抹灰強度
D、砌體強度
最新試題
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
在通常情況下,GaN呈()型結構。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。