填空題熱處理按目的、加熱條件和特點不同，可分為整體熱處理、（）和（）。
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題