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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列是晶體的是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）