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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列是晶體的是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）