問答題正火和退火的主要區(qū)別是什么？生產(chǎn)中如何選擇正火和退火？
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表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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可用作硅片的研磨材料是（）
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
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下列哪個不是單晶常用的晶向（）
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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