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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）