A.m；m×n
B.2m；2n
C.2m；2n
D.2m；2m×n
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A.當(dāng)4位二進制數(shù)B>9時，P（A>B.=1
B.當(dāng)B3=A3時，P（A=B.=1
C.當(dāng)B3=A3、B2=0、A2=1時，P（A>B.=1
D.當(dāng)B3=A3、B2=1、A2=0時，P（A>B.=1
A.施密特觸發(fā)器
B.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.多諧振蕩器
A.0
B.1
C.2
D.3
A.0、1、0
B.0、0、1
C.1、1、0
D.1、0、1
A.B
B.C
C.1
D.0
最新試題
一個振蕩器電路中晶振元件的標(biāo)稱頻率是6MHz，電容為30pF，則該電路輸出信號的頻率是（）MHz。
已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。
四位并行輸入寄存器輸入一個新的四位數(shù)據(jù)時需要（）個CP時鐘脈沖信號。
下列說法錯誤的是（）。
如果一個半導(dǎo)體存儲器中有m位地址線，則應(yīng)有（）個存儲單元，若輸出位數(shù)為n位，則其存儲容量為（）位。
關(guān)于可編程邏輯陣列PLA，下列說法正確的是（）。
RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲矩陣和讀寫電路三大部分。一個RAM芯片有11個地址輸入端，8個數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。
將一個最大幅值為5V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要使模擬信號每變化10mV，數(shù)字信號的最低位發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位的A／D轉(zhuǎn)換器。
一片存儲容量為8K的只讀存儲器ROM芯片應(yīng)該有（）條地址線。
如果異步二進制計數(shù)器的觸發(fā)器個數(shù)為10個，則計數(shù)狀態(tài)有（）種。