單項(xiàng)選擇題玻璃制品的退火制度不包括()。
A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻
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1.單項(xiàng)選擇題池窯的工藝制度中不包括()。
A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
2.單項(xiàng)選擇題影響耐火材料侵蝕介質(zhì)的種類沒(méi)有下面的哪一種()。
A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物
3.單項(xiàng)選擇題按照水和物料結(jié)合的強(qiáng)弱,物料中的水分可以分為三類,其中不包括()。
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機(jī)械結(jié)合水
4.單項(xiàng)選擇題壓制法成型有三種加壓方式,其中不包括下面的哪一種()。
A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
5.單項(xiàng)選擇題配合料一般制備與加工的工藝為:()
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題