單項選擇題提高水泥抗蝕性的措施有三種，（）除外
A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
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1.單項選擇題多晶材料在高溫時，在恒定應力作用下，由于形變不斷增加而導致斷裂稱為（）
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴展斷裂
D、應力斷裂
2.單項選擇題絕大部分硫酸鹽對于硬化水泥漿體都有顯著的侵蝕作用，只有（）除外
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
3.單項選擇題水泥強度是硬化水泥石能承受外力破壞的能力，根據(jù)受力形式不同可分三種，（）除外。
A、剪切強度
B、抗壓強度
C、抗拉強度
D、抗折強度
4.單項選擇題水泥體積安定性直接反應水泥質(zhì)量的好壞，（）不是影響安定性的主要因素。
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
5.單項選擇題（）是指水泥的一種不正常的早期固化或過早變硬現(xiàn)象。在水泥用水拌和的幾分鐘內(nèi)物料就顯示凝結(jié)，攪拌后又可恢復可塑性。
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題