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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數，它與（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。