A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
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A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。