單項(xiàng)選擇題晶體的生長(zhǎng)方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
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1.單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
2.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
3.單項(xiàng)選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響碳酸鈣分解速度的因素。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述如何選擇陶瓷的成方法？
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
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與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
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如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
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