A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
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A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→切片→晶片研磨及磨邊→打包
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。