單項(xiàng)選擇題對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
A.非本征
B.本征
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
2.單項(xiàng)選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
3.單項(xiàng)選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
4.單項(xiàng)選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
5.單項(xiàng)選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向()
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
最新試題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題