單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)TTL門關(guān)門電平Uoff之值為（）。
A.0.3V
B.0.5V
C.0.8v
D.1.2V
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1.單項(xiàng)選擇題三極管開關(guān)電路中，影響開關(guān)速度的主要囚素是（）。
A.tD
B.tR
C.tS
D.tF
2.單項(xiàng)選擇題數(shù)字電路中，當(dāng)晶體管的飽和深度變淺時，其工作速度（）。
A.變低
B.不變
C.變高
D.加倍
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏時，三極管工作在（）狀態(tài)。
A.放大
B.飽和
C.截止
D.倒置
4.單項(xiàng)選擇題二極管或門的兩輸入信號AB＝（）時，輸出為低電平。
A.00
B.01
C.10
D.11
5.單項(xiàng)選擇題二極管與門的兩輸入信號AB＝（）時，輸出為高電平。
A.00
B.01
C.10
D.11
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7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
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小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
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以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題