A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
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A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
A.互非
B.對(duì)偶
C.相等
D.無(wú)任何關(guān)系
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
最新試題
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門(mén),可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門(mén)電路為()
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門(mén)是()
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()