單項(xiàng)選擇題某超聲波探頭，壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm，則該探頭工作頻率為（）

A.5kHz
B.5MHz
C.2.5MHz
D.2.5KMz


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1.單項(xiàng)選擇題超聲波斜探頭的K值等于（）的正切值。

A.縱波折射角
B.橫波折射角
C.縱波入射角
D.橫波反射角

2.單項(xiàng)選擇題超聲波探頭上標(biāo)稱的頻率是（）

A.重復(fù)頻率
B.晶片振動(dòng)頻率
C.回波頻率
D.電源頻率

3.單項(xiàng)選擇題使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是（）

A.能更準(zhǔn)確地測(cè)量缺陷高度
B.能更準(zhǔn)確地測(cè)量缺陷長(zhǎng)度
C.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷上表面附近的缺陷
D.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷底面附近的缺陷

4.單項(xiàng)選擇題二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝，以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）

A.二次波檢測(cè)可以解決焊縫余高過寬影響探頭設(shè)置的困難
B.二次波檢測(cè)可以解決直通波盲區(qū)造成的近表面裂紋漏檢
C.二次波檢測(cè)以二次反射表面產(chǎn)生的波作為底面波
D.二次波檢測(cè)時(shí)探頭間距不能太大，以確?；夭ㄔ诘撞úㄐ娃D(zhuǎn)換之前到達(dá)

5.單項(xiàng)選擇題以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響（）

A.采用的TOFD和脈沖反射法組合檢測(cè)
B.檢測(cè)筒體縱焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
C.檢測(cè)筒體環(huán)焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
D.從內(nèi)表面和外表面進(jìn)行兩次掃查