單項選擇題當逆向偏壓從10V減少到5V時，二極管接面的空乏區(qū)將（）
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
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1.單項選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成（）
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
2.單項選擇題當P型和N型半導(dǎo)體接觸時，即會產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負離子
