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1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。