單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進(jìn)行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的泛霜試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的石灰爆裂試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的凍融試驗，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結(jié)磚凍3h，非燒結(jié)磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結(jié)磚不少于2h；非燒結(jié)磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題