單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)飽和系數(shù)試驗(yàn)稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進(jìn)行計(jì)算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的泛霜試驗(yàn)，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗(yàn)。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的石灰爆裂試驗(yàn)，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗(yàn)。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的凍融試驗(yàn)，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結(jié)磚凍3h，非燒結(jié)磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結(jié)磚不少于2h；非燒結(jié)磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用模具制樣法制成的試件連同模具在不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）后脫模，再在相同條件下養(yǎng)護(hù)（），進(jìn)行試驗(yàn)。
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
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PN結(jié)的基本特性是（）
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與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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