A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
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A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
可用作硅片的研磨材料是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。