單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件制備好后，應(yīng)在環(huán)境溫度（），相對濕度（）的不通風(fēng)室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進(jìn)行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的泛霜試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的石灰爆裂試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進(jìn)行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題