單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)中,應(yīng)在蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗(yàn)試件的兩個端面中心,各鉆一個直徑尺寸為()mm孔洞。

A、5~8
B、6~10
C、7~9
D、6~12


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1.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)中,蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗(yàn)的試件尺寸為()

A、100mm×100mm×100mm
B、100mm×100mm×400mm
C、40mm×40mm×160mm
D、100mm×100mm×300mm

3.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)中,以下不需要用于蒸壓加氣混凝土干燥收縮的儀器設(shè)備有()

A、電熱鼓風(fēng)干燥箱
B、天平
C、材料試驗(yàn)機(jī)
D、恒溫水槽

最新試題

下列哪個不是單晶常用的晶向()

題型:單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項(xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。

題型:單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項(xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題