A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
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B、GB/T4111
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B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
PN結(jié)的基本特性是()