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最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

PN結(jié)的基本特性是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。