A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項(xiàng)目
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()