A、3
B、5
C、7
D、14
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項目
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。