A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級、強(qiáng)度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級、強(qiáng)度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
PN結(jié)的基本特性是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()