A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
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A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
A、3.5～15萬(wàn)
B、15萬(wàn)
C、10萬(wàn)
D、1萬(wàn)
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對(duì)
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
下列是晶體的是（）。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）