A、pH值
B、水泥凝結(jié)時(shí)間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
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A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性,其種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿足砼設(shè)計(jì)要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
C、不得同時(shí)摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時(shí)使用
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?;郀t礦渣粉
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列是晶體的是()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()