A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗(yàn)批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗(yàn)批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗(yàn)合格的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗(yàn)批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項(xiàng)目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
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A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時,構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時,應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
A、澆水濕潤養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
最新試題
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。