A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應(yīng)相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應(yīng)少于一個
C、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成三組試驗
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A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應(yīng)根據(jù)施工要求確定
B、對于需要進行耐久性檢驗評定的砼,其強度應(yīng)滿足設(shè)計要求
C、耐久性檢驗評定的依據(jù)是《砼強度檢驗評定標準》GB/T50107-2010標準
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應(yīng)根據(jù)設(shè)計要求確定
A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
最新試題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
可用作硅片的研磨材料是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。