A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結時間應至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
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A、不同批次或非連續(xù)供應的不足一個檢驗批量的砼原材料應作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
C、散裝水泥應按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
A、砼強度達到設計強度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護措施
B、砼受凍前的強度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護
D、模板和保溫層應在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護過程應進行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護應分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、當表面與外界溫差不大于20℃時,構件方可出池或撤除養(yǎng)護措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護時,應分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、養(yǎng)護坑濕熱養(yǎng)護
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。