A、稠度
B、凝結時間
C、碳化深度
D、泌水率
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A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、對于同一檢驗批只進行一組試驗的檢驗項目,應將試驗結果作為檢驗結果
B、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應按不同的性能項目取所有組試驗結果中的最小值或最大值作為檢驗結果
A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產工藝和配合比應相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應少于一個
C、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成三組試驗
A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據(jù)施工要求確定
B、對于需要進行耐久性檢驗評定的砼,其強度應滿足設計要求
C、耐久性檢驗評定的依據(jù)是《砼強度檢驗評定標準》GB/T50107-2010標準
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據(jù)設計要求確定
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。