A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來(lái)確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測(cè)值的算術(shù)平均值來(lái)表示。
D、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過(guò)中間值的15%時(shí)，此次試驗(yàn)無(wú)效。
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A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過(guò)程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后，拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外，應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水，可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜，并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束，以免造成擾動(dòng)
D、從計(jì)時(shí)開(kāi)始后60min內(nèi)，每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過(guò)中間值的10%，取中間值。
B、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過(guò)中間值的10%，本次試驗(yàn)無(wú)效。
C、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過(guò)中間值的15%，取中間值。
A、線(xiàn)性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個(gè)試驗(yàn)筒中，做三個(gè)試驗(yàn)
B、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí)，振動(dòng)應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止，不得過(guò)振
C、同一試驗(yàn)，整個(gè)貫入過(guò)程應(yīng)保持用同一貫入面積的測(cè)針
D、以貫入阻力28MPa時(shí)不能在試樣表面壓下痕印作為達(dá)到砼終凝狀態(tài)
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；