A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級
C、強(qiáng)度等級
D、相對含水率
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你可能感興趣的試題
A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰（或電石渣）
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-18±2）℃和（18±2）℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-18±2）℃和（5±2）℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-5±2）℃和（18±2）℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在（-20±2）℃和（20±2）℃
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
PN結(jié)的基本特性是（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）