A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
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你可能感興趣的試題
A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應采用防凍液作為凍融介質
C、測溫試件應采用純凈水作為凍融介質
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應高于凍融試驗試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
PN結的基本特性是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();