A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
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A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、密度等級(jí)
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。