A、700
B、600
C、1300
D、1400
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A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對(duì)含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí);
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí);
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列是晶體的是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()