A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
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A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細砂
D.無膜雙面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸（縱向×橫向）100×25（mm），縱橫各5個
B.耐熱性（縱向×橫向）100×50（mm），3個
C.低溫柔性（縱向×橫向）150×25（mm），10個
D.不透水性150×150mm，3個
A.最大拉力單位為N/50mm，對應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率，計算平均值
C.拉力的平均值修約到5N，延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N，延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）